Chip/barre/array/pile di diodi laser a singolo emettitore ad alta potenza

Name: Chip/barre/array/pile di diodi laser a singolo emettitore ad alta potenza
Brand: Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,
SKU: Serie STCX
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

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Chip/barre/array/pile di diodi laser a singolo emettitore ad alta potenza

Grande immagine : Chip/barre/array/pile di diodi laser a singolo emettitore ad alta potenza

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	Sintec Optronics
Numero di modello:	Serie STCX

Termini di pagamento e spedizione:

Tempi di consegna:	5-7days
Termini di pagamento:	T/T tramite banca

Contatto

Chip/barre/array/pile di diodi laser a singolo emettitore ad alta potenza

descrizione

Evidenziare:

Diodo laser a singolo emisore ad alta potenza

Diodo laser a singolo emettitore

Diodo laser

Chip/barre/array/pile laser a singolo emettitore a diodi ad alta potenza

(1) Chip laser a singolo emettitore ad alta potenza – Serie BC

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	915	915	976	976
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm	±10	±10	±3	±3
Potenza di uscita	W	25	30	25	30
Modalità operativa	#	CW	CW	CW	CW
Divergenza dell'asse veloce	Grado	55	55	55	55
Divergenza ad asse lento	Grado	9.5	9.5	9.5	9.5
Larghezza spettrale (FWHM)	nm	4	4	4	4
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃	0.3	0.3	0,33	0,33
Polarizzazione TE	%	97	97	97	97
Elettrico
Larghezza emettitore	micron	195	230	195	230
Lunghezza cavità	mm	4.5	4.5	4.5	4.5
Larghezza	micron	400	400	400	400
Spessore	micron	145	145	145	145
Geometrico
Conversione elettro-ottica Eff.	%	62	62	63	63
Efficienza in pendenza	W/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Corrente di Soglia	UN	1.5	1.8	1.1	1.5
Corrente operativa	UN	25	30	25	30
Tensione di funzionamento	v	1.65	1.65	1.55	1.55

(2) Barra di diodi ad alta potenza – Serie BB

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	808	808	808	808	940	940
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm	±10	±10	±10	±3	±3	±3
Potenza di uscita	W	50	60	100	≥500	200	≥700
Divergenza dell'asse veloce	Grado	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergenza ad asse lento	Grado	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Larghezza spettrale (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	5
Polarizzazione TE	TM/TE	TE	TE	TE	TE	TE	TE
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0.3	0.3
Elettrico
Conversione elettro-ottica Eff	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Efficienza in pendenza	W/A	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Corrente di soglia	UN	8	12	15	25	25	25
Corrente operativa	UN	50	60	105	≤430	220	650
Tensione di funzionamento	v	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
Larghezza di impulso	noi	-	-	-	200	-	500
Frequenza degli impulsi	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo di lavoro a impulsi	%	-	-	-	8	-	8
Geometrico
Numero di emettitori	#	19	49	49	34	24	34
Larghezza emettitore	micron	150	100	100	232	200	232
Passo dell'emettitore	micron	500	200	200	290	400	290
Fattore di riempimento	%	30	50	50	80	50	80
Lunghezza cavità	mm	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
Spessore barra	micron	145	145	145	115	115	115
Lunghezza barra	mm	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Termico
temperatura di esercizio	℃	25	25	25	25	20	25
Temperatura di conservazione	℃	40 ~ 80	-40~80	40 ~ 80	40 ~ 80	-40~80	40 ~ 80
Velocità di flusso	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(3) Chip VCSEL a diodi ad alta potenza - serie TOF

Ottico
Lunghezza d'onda centrale@Iop	nm	808	850	940	940
Larghezza spettrale (metà larghezza)	nm	2	2	2	2
Spostamento di lunghezza d'onda/temperatura	nm/℃	0.07	0.07	0.07	0.07
Apertura dell'emettitore	micron	10	10	10	10
Passo minimo dell'emettitore	micron	44	47	33	40
Numero dell'emettitore	/	621	1216	305	364
Potenza di uscita	W	3.1	4	2.1	3.1
Corrente di esercizio	UN	3.5	5	2.8	3.5
Consumo di energia	W	7	10	5.6	7
Tensione di funzionamento	v	2	2	2	2
Efficienza operativa	%	35	40	40	40
Corrente di soglia	UN	0.7	1.2	0,38	0,47
Angolo di divergenza	°	22	22	20	20
Geometrico
Lunghezza dell'emettitore	micron	916	1535	525	916
Larghezza dell'emettitore	micron	901	1560	615	610
Lunghezza truciolo	micron	1206	1845	695	996
Larghezza truciolo	micron	1006	1670	795	890
Spessore del truciolo	micron	100	100	100	100

(4) Chip VCSEL a diodi ad alta potenza – Serie SL

Ottico
Lunghezza d'onda centrale@Iop	nm	934	940	946
Larghezza spettrale (metà larghezza)	nm		2
Spostamento di lunghezza d'onda/temperatura	nm/℃		0.07
Apertura dell'emettitore	micron		8
Passo minimo dell'emettitore	micron		21
Numero emettitore (Area A)	-		377
Numero emettitore (Area B)	-		6
Potenza in uscita (Area A)	W	1.3	1.5	1.7
Potenza in uscita (Area B)	W		0,024
Potenza a punto singolo	W		0,004
Corrente di funzionamento (Area A)	UN		3.6
Corrente operativa (Area B)	UN		0.06
Consumo energetico (Area A)	W		3.6
Consumo energetico (Area B)	W		0.06
Tensione di funzionamento	v		2
Efficienza operativa	%		40	45
Corrente di soglia (Area A)	UN		0,38
Corrente di soglia (Area B)	UN		0,006
Angolo di divergenza	°		20
Geometrico
Lunghezza zona luminosa	micron		523
Larghezza dell'area di emissione della luce	micron		548
Lunghezza truciolo	micron	758	778	798
Larghezza truciolo	micron	701	721	741
Spessore del truciolo	micron	90	100	110

(5) Chip VCSEL a diodi ad alta potenza – Serie LI

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	905	940
Larghezza spettrale (metà larghezza)	nm	2	2
Spostamento di lunghezza d'onda/temperatura	nm/℃	0.07	0.07
Apertura dell'emettitore	micron	12	12
Passo minimo dell'emettitore	micron	22	22
Numero dell'emettitore	/	136	136
Potenza di uscita	W	60	60
Corrente di esercizio	UN	15	15
Consumo di energia	W	300	300
Tensione di funzionamento	v	25	25
Efficienza operativa	%	20	20
Corrente di soglia	UN	0.2	0.2
Angolo di divergenza	°	20	20
Geometrico
Lunghezza dell'emettitore	micron	273	273
Larghezza dell'emettitore	micron	288	288
Lunghezza truciolo	micron	520	520
Larghezza truciolo	micron	401	401
Spessore del truciolo	micron	100	100

(6) Dispositivo laser a diodi ad alta potenza – Serie COS

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	915	915	976	976
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm	±10	±10	±3	±3
Potenza di uscita	W	25	30	25	30
Modalità operativa	#	CW	CW	CW	CW
Divergenza dell'asse veloce	Grado	55	55	55	55
Divergenza ad asse lento	Grado	9.5	9.5	9.5	9.5
Larghezza spettrale (FWHM)	nm	4	4	4	4
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃	0.3	0.3	0,33	0,33
Polarizzazione TE	%	97	97	97	97
Elettrico
Conversione elettro-ottica Eff	%	62	62	63	63
Efficienza in pendenza	W/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Corrente di Soglia	UN	1.5	1.8	1.1	1.5
Corrente operativa	UN	25	30	25	30
Tensione di funzionamento	v	1.65	1.65	1.55	1.55
Geometrico
Larghezza emettitore	micron	195	230	195	230
Lunghezza cavità	mm	4.5	4.5	4.5	4.5
Larghezza	micron	400	400	400	400
Spessore	micron	145	145	145	145

(7) Dispositivi laser a diodi ad alta potenza – Serie MCC

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	808	808	808	808	940	940
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm	±10	±10	±10	±10	±3	±3
Potenza di uscita	W	50	60	100	≥500	200	200
Divergenza dell'asse veloce	Grado	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergenza ad asse lento	Grado	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Larghezza spettrale (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	≤3
Modalità di polarizzazione	TM/TE					TE	TE
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0.3	0.3
Elettrico
Conversione elettro-ottica Eff	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Efficienza in pendenza	W/A	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Corrente di Soglia	UN	8	12	15	25	25	25
Corrente operativa	UN	50	60	105	≤430	220	650
Tensione di funzionamento	v	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
Larghezza di impulso	noi	-	-	-	200	-	500
Frequenza degli impulsi	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo di lavoro a impulsi	%	-	-	-	8	-	8
Geometrico
Numero di emettitori	#	19	49	49	34	24	34
Larghezza emettitore	micron	150	100	100	232	200	232
Passo dell'emettitore	micron	500	200	200	290	400	290
Fattore di riempimento	%	30	50	50	80	50	80
Lunghezza cavità	mm	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
Spessore barra	micron	145	145	145	115	115	115
Lunghezza barra	mm	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Termico
Temp. di esercizio	℃	25	25	25	25	20	25
Temp. di stoccaggio	℃	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80
Portata d'acqua	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(8) Pile laser a diodi ad alta potenza – Serie MCP

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	808	808	808
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm	±10	±10	±3
Potenza di uscita	W	60	100	300
Numero di barre	#	2 ~ 60	2 ~ 60	2 ~ 60
Larghezza spettrale (FWHM)	nm	≤8	≤8	4
Modalità operativa	#	CW	CW	QCW
Divergenza dell'asse veloce	Grado	≤42	≤42	40
Divergenza ad asse lento	Grado	≤10	≤10	10
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28
Elettrico
Efficienza di conversione di potenza	%	50	50	50
Efficienza pendenza/Bar	W/A	≥1.1	≥1.1	1.1
Corrente di soglia	UN	4.5	4.5	4.5
Corrente operativa	UN	0.16	0.16	290
Tensione di esercizio/Bar	v	≤2	≤2	1.8
Termico
temperatura di esercizio	℃	15 ~ 35	15 ~ 35	25
Temperatura di conservazione	℃	0~55	0~55	0~55
Bar/Velocità dell'acqua/Bar	l/m	0,3~0,5	0,3~0,5	0.3
Entrata Pressione massima	psi	55	55	55
Tipo di acqua	-	DI Acqua	DI Acqua	DI Acqua
Resistività all'acqua deionizzata (DI)	kΩ·cm	200~500	200~500	200~500
Particelle filtranti per acqua pura	micron	＜20	＜20	＜20

(9) Pile laser a diodi ad alta potenza – Serie QCP

Ottico
Lunghezza d'onda centrale	nm	808	808
Tolleranza della lunghezza d'onda	W	±3	±10
Potenza in uscita barra/barra	%	300	40
Numero di barre	%	2 ~ 24	60
Potenza di uscita totale	micron	-	2400
Spaziatura da barra a barra	-	0,4 ~ 1,8	0.9
Larghezza spettrale (FWHM)	-	4	8
Larghezza di impulso	M	50-500	10-100
Frequenza di ripetizione		1-200	1-10
Divergenza dell'asse veloce (FWHM)	nm	40	40
Divergenza asse lento (FWHM)	mW	10	10
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda		0,28	0,28
Elettrico
Conversione elettro-ottica Eff	%	50	50
Efficienza pendenza/Bar	W/A	1.1	1.1
Corrente di soglia	UN	20	10
Corrente operativa	UN	300	50
Tensione di esercizio/Bar	v	2	1.8
Termico
Tipo di acqua	-	Acqua pura	Acqua pura
temperatura di esercizio	℃	25	25
Temperatura di conservazione	℃	-40-85	-40-85

(10) Dispositivi laser a diodi ad alta potenza – Serie TO

Ottico
		min	Tipico	Massimo
Lunghezza d'onda centrale	nm	820	830	840
Tolleranza della lunghezza d'onda	nm		±10
Potenza di uscita	W		1.0
Larghezza spettrale (FWHM)	nm		3.0	4.0
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda	nm/℃		0.3
Elettrico
Conversione elettro-ottica Eff	%	36	42
Efficienza in pendenza	W/A	1.05	1.1
Corrente di soglia	UN		0,38	0,45
Corrente operativa	UN		1.28	1.40
Tensione di funzionamento	v		1.8	2.2
Termico
temperatura di esercizio	℃	0	25	40
Temperatura di conservazione	℃		-20~70